삼성전자가 고대역폭 메모리(HBM) 5세대인 HBM3E 개선 제품을 올해 1분기 말부터 주요 고객사에 공급할 예정이라고 31일 밝혔다. 6세대인 HBM4는 올해 하반기 양산이 목표다.

다만 최근 미국의 첨단반도체 수출 통제 등의 여파로 1분기에는 HBM 제품의 일시적인 판매 제약이 있을 것으로 봤다.

삼성전자는 이날 실적 콘퍼런스콜에서 "4분기에는 지정학적 이슈와 올해 1분기를 목표로 준비 중인 HBM3E 개선 제품 계획 영향이 맞물려 HBM 수요에 일부 변동이 발생했고 그 결과 4분기 HBM 매출은 당초 전망을 소폭 하회한 전분기 대비 1.9배 수준의 성장을 기록했다"며 이같이 밝혔다.

삼성전자는 "지난해 3분기부터 HBM3E 8단과 12단 제품을 양산한 데 이어 4분기에 다수의 그래픽처리장치(GPU) 공급사와 데이터센터 고객에 HBM3E 공급을 확대했고, 이에 HBM3E 매출이 HBM3 매출을 넘어섰다"고 설명했다.

HBM3E 개선 제품도 계획대로 준비 중이다.

앞서 삼성전자는 지난해 10월 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 "주요 고객사의 차세대 그래픽처리장치(GPU) 과제에 맞춰 HBM3E 개선 제품도 준비 중"이라며 "기존 HBM3E 제품은 이미 진입한 과제용으로 공급을 확대하고 개선 제품은 신규 과제용으로 추가 판매해 수요 대응 범위를 늘려갈 것"이라고 밝힌 바 있다.

HBM3E 개선 제품의 가시적인 공급 증가는 2분기부터 본격화할 것으로 전망했다.

삼성전자는 "최근 미국 정부에서 발표한 첨단 반도체 수출 통제 영향뿐만 아니라 당사의 개선 제품 계획 발표 이후 주요 고객사들의 기존 수요가 개선 제품 쪽으로 옮겨가며 HBM의 일시적인 수요 공백이 발생할 것으로 보인다"며 "다만 2분기 이후 고객 수요는 8단에서 12단으로 기존 예상 대비 빠르게 전환될 것"이라고 전망했다.

이에 따라 HBM3E 개선 제품을 고객 수요에 맞춰 램프업(생산량 확대)하는 등 2025년 전체 HBM 비트 공급량을 전년 대비 2배 수준으로 확대한다는 계획이다.

삼성전자는 "HBM3E 16단의 경우 고객 상용화 수요는 없을 것으로 전망되지만 16단 스택 기술 검증 차원에서 이미 샘플을 제작해 주요 고객사에 전달했다"며 "1c 나노 기반 HBM4는 2025년 하반기 양산을 목표로 기존 계획대로 개발을 진행 중"이라고 전했다.